ΕΠΑΝΩ ABS στον πλαστικό εξοπλισμό επιστρώματος εξάτμισης PVD επιχρωμίωσης κενό

 
 

Βασική διαμόρφωση

 

1. Ο μετρητής ροής αερίου και ο έλεγχος ελέγχου ροής (επίδειξη) του αεροκίνητου συστήματος υιοθετούνται.

 

 

2. Το ηλεκτρικό σύστημα ελέγχου οργάνωση θα περιτρέξει την υπερφόρτωση, το σπάσιμο νερού και την υγιή συσκευή συναγερμών

 

σπασμένος αέρας

 

 

3. Σύστημα ελέγχου (οθόνη αφής + PLC), λεπτομερείς επίδειξη παράμετροι σε πραγματικό - χρόνος, πλήρως αυτόματος έλεγχος

 

η ολόκληρη διαδικασία παραγωγής, και αυτόματη αποθήκευση των παραμέτρων διαδικασίας.

 

 

4. Ο εξοπλισμός είναι εξοπλισμένος με το προκατειλημμένο σύστημα υψηλής δύναμης και τη βοηθητική απόθεση πηγής ιονισμού

 

επίστρωμα

 

 

5, η αίθουσα επιστρώματος, οι βαλβίδες και η διοχέτευση με σωλήνες αποτελούνται από το ανοξείδωτο, κενό μέγεθος αιθουσών από Φ500

 

χιλ. σε Φ2000 χιλ.

 

 

6. Το κενό σύστημα αποτελείται από τη μηχανική αντλία, την περιστροφική vane αντλία, την αντλία ριζών και το κρύο καλά υψηλές

 

κενή αντλία διάχυσης πετρελαίου ή μοριακή αντλία

 

 

7. Το σύστημα επιστρώματος υιοθετεί τον πολλαπλάσιο επίπεδο στόχο ή τον κυλινδρικό στόχο, με την πολλαπλάσιο συνεχή δύναμη ή το μέσο

 

παροχή ηλεκτρικού ρεύματος συχνότητας.

 

 

8. Το βοηθητικό αντλώντας σύστημα υιοθετεί μια χαμηλής θερμοκρασίας παγίδα υδρατμών

 

 

 

 

1. Αυτό κρυογόνος ιονική δευτερεύουσα πηγή εξοπλισμών, κάποιο υπόστρωμα χωρίς θέρμανση του υλικού, αυτό

μπορέστε άμεσα να κάνετε την κρύα ταινία επένδυσης στη θερμοκρασία δωματίου, εκτός από την ενέργεια, παραγωγικότητα αύξησης.

2. Το μέγιστο της θερμοκρασίας για την αίθουσα επιστρώματος εργαλείων μπορεί 600 βαθμοί, εκτός από το εργαλείο

Coater οι εφαρμογές επιστρώματος απαιτούν τη συσκευή θέρμανσης, άλλες εφαρμογές δεν χρειάζονται τη συσκευή.

3. Το υψηλό ποσοστό απόθεσης, υψηλή ταχύτητα επιστρώματος, αυτό μπορεί να χρησιμοποιηθεί ευρέως για να κάνει το διακοσμητικό επίστρωμα, λειτουργικό

επίστρωμα σε ποικίλα προϊόντα. Έτσι είναι ένας ιδανικός εξοπλισμός για να κάνει το αρίστης ποιότητας και καλύτερο επίστρωμα για τη μάζα

παραγωγή.

4. Magnetron η αρχή επιμετάλλωσης είναι βασισμένη στη θεωρία της απαλλαγής πυράκτωσης καθόδων, χρησιμοποιεί

μαγνητικό πεδίο επιφάνειας καθόδων κοντά στην επιφάνεια κομματιού εργασίας. Κατόπιν βελτιώνει το ψεκασμένο άτομο

ποσοστό ιονισμού. Κρατά τη magnetron ομοιομορφία επιμετάλλωσης, μπορεί επίσης να βελτιώσει τη να λάμψει επιφάνειας επίδραση.

5. Η πηγή εξάτμισης πλάσματος τόξων είναι αξιόπιστη, μπορεί να λειτουργήσει κάτω από το ρεύμα 40A στη βελτιστοποίηση της καθόδου

και η δομή μαγνητικών πεδίων. Θα συμβεί ατομική διάχυση μεταξύ του επιστρώματος και του υλικού. Αυτό

επίσης έχει τα πλεονεκτήματα ότι lon η ακτίνα βοήθησε την απόθεση.

6. Το κενό αντλώντας σύστημα, το ηλεκτρικό σύστημα ελέγχου και το πλήρες σύστημα κενού επιστρώματος μπορούν να είναι

προσαρμοσμένος σύμφωνα με τις απαιτήσεις χρηστών.

 

 

 

 

 

 

Αρχή εργασίας

 

 

Κενή magnetron αρχή εργασίας μηχανών επιστρώματος επιμετάλλωσης: ο αποκαλούμενος «παφλασμός», τα ηλεκτρόνια μέσα

 

ένα ηλεκτρικό πεδίο στο πλαίσιο της πράξης της επιτάχυνσης της διαδικασίας στο υπόστρωμα με το άτομο αργού

 

σύγκρουση, ηλεκτρόνια αργού μεγάλων ποσών ιονισμού έξω ιόντα και. Οι μύγες ηλεκτρονίων προς το υπόστρωμα,

 

το ιόν αργού επιταχύνει το υλικό στόχων στο πλαίσιο της δράσης του ηλεκτρικού πεδίου, που ψεκάζει έξω έναν μεγάλο

 

ο αριθμός ατόμου στόχων, και το ουδέτερο άτομο στόχων (ή μόριο) κατατίθενται στο υπόστρωμα για να διαμορφώσουν

 

ταινία. Δευτεροβάθμιο ηλεκτρόνιο στην επιτάχυνση για να πετάξει στο υπόστρωμα από το μαγνητικό πεδίο στο στάδιο του lorentz

 

μαγνητική δύναμη, η επιρροή της περιορισμένης περιοχής κοντά στο πλάσμα επιφάνειας στόχων, η πυκνότητα πλάσματος

 

η περιοχή είναι πολύ υψηλή, το δευτεροβάθμιο ηλεκτρόνιο στο πλαίσιο της δράσης του μαγνητικού πεδίου γύρω από την επιφάνεια στόχων είναι

 

η κυκλική κίνηση, η πορεία κινήσεων ηλεκτρονίων είναι πολύ μακροχρόνια, συνεχώς στο στάδιο της μετακίνησης του αντίκτυπου

 

ιονικός βομβαρδισμός αργού μεγάλων ποσών ιονισμού έξω του στόχου, μετά από πολλές φορές της σύγκρουσης

 

η ενέργεια ηλεκτρονίων μειώνει βαθμιαία, χυτός από το ζυγό των γραμμών μαγνητικών πεδίων, μακρυά από το στόχο

 

υλικό, η τελική απόθεση στο υπόστρωμα.